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J-GLOBAL ID：200903026189105775

多結晶シリコン膜及び半導体装置

Inventor： 谷川 明男 ,  奥村 展
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998049693
Publication number (International publication number)：1999054434
Application date： Mar. 02, 1998
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ドーパントの拡散・析出、界面・表面準位、移動度などの、トランジスタ特性に関係する特性に優れ、またその制御性に優れた多結晶シリコン膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 非晶質層上の多結晶シリコン膜において、該非晶質層との界面近傍に任意の優先配向の比率が相対的に大きい層領域を設け、表面に向かって該層領域より該優先配向の比率が小さく且つその変化が乏しい或いは一定の層領域を設け、さらに表面に向かって該優先配向の比率が増加する層領域を設ける。

Claim (excerpt)：

非晶質層上の多結晶シリコン膜であって、該非晶質層との界面近傍に任意の優先配向の比率が相対的に大きい層領域を有し、表面に向かって該層領域より該優先配向の比率が小さく且つその変化が乏しい或いは一定の層領域を有し、さらに表面に向かって該優先配向の比率が増加する層領域を有することを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 620