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J-GLOBAL ID：200903026204213229
レーザダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994258086
Publication number (International publication number)：1995162097
Application date： Oct. 24, 1994
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】850nmより高い波長範囲で偏光をした光を放射する半導体レーザを提供する。【構成】 レーザダイオードであって、(a)第1の格子定数と第1のバンドギャップとを有するGaAsの結晶基体、(b)前記基体上に堆積されI-V族アロイを含む結晶性活性層(それは、歪みが付与されないとき第2のバンドギャップと前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有するものであり、更に、前記基体上に堆積されたとき歪みが付与され、その歪みが付与されたときに第1のバンドギャップよりも小さい第3のバンドギャップを有する)、及び(c)キャリヤを活性層に注入し、それによって第1のバンドギャップを有する材料のレーザ放射の波長を越える波長で活性層中でのレーザ放射を引き起こする電極を有するレーザダイオード。
Claim (excerpt)：
レーザダイオードであって、(a)第1の格子定数と第1のバンドギャップとを有するGaAsの結晶基体、(b)前記基体上に堆積されIII-V族アロイを含む結晶性活性層であって、歪みが付与されないとき第2のバンドギャップと前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有するものであり、更に、前記基体上に堆積されたとき歪みが付与され、その歪みが付与されたときに第1のバンドギャップよりも小さい第3のバンドギャップを有する活性層、及び(c)キャリヤを活性層に注入し、それによって第1のバンドギャップを有する材料のレーザ放射の波長を越える波長で活性層中でのレーザ放射を引き起こする電極を有するレーザダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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