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J-GLOBAL ID：200903026204714171

面型半導体光デバイスおよびその作製方法

Inventor： 古川 幸生
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998189647
Publication number (International publication number)：2000012981
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】汎用性の高い多層反射膜を備え、生産性が良く、歩留まりの良い面型半導体光デバイスおよびその作製方法である。【解決手段】面型半導体光デバイスは半導体多層膜17、18、21、半導体多層膜17、18、21の積層方向の少なくとも一方の側に設けられた多層反射膜31、63を備える。一方の多層反射膜63が少ない層数の半導体層と気体層の周期構造から成る。

Claim (excerpt)：

半導体多層膜、該半導体多層膜の積層方向の少なくとも一方の側に設けられた多層反射膜を有する面型半導体光デバイスにおいて、前記多層反射膜が半導体層と気体層の周期構造から成ることを特徴とする面型半導体光デバイス。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 F

F-Term (18)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA03 ,  5F073EA23