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J-GLOBAL ID：200903026208994497
超格子アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016664
Publication number (International publication number)：1994232443
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 メサ型超格子アバランシェフォトダイオードで問題となる表面リーク暗電流を低減し、低暗電流・高信頼な超格子アバランシェフォトダイオードを実現する。【構成】 p+ 型InP基板に、p- 型InGaAs光吸収層、p型InP電界緩和層、アンドープn- 型InAlAs/InAlGaAs超格子増倍層、n+型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層を順次積層した構造を有する超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、超格子増倍層、n+型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層のみをエッチング除去して形成したメサを、p- 型InPもしくはp- 型InAlAsで埋め込んだ構造を有する。
Claim (excerpt)：
メサ型の超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、メサを構成する超格子増倍層、n+ 型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層が、p- 型InPもしくはp- 型InAlAsで埋め込まれていることを特徴とする超格子アバランシェフォトダイオード。
Patent cited by the Patent：
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