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J-GLOBAL ID：200903026211429431
半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996269254
Publication number (International publication number)：1998098038
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】薄いシリコン酸化膜を安定して加湿酸化法にて形成し得る、半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】水蒸気を含む気体雰囲気中でシリコン半導体基板等の基体を酸化することによってシリコン酸化膜を形成する方法は、少なくとも水素及び酸素を含む気体に電磁波を照射することによって水蒸気を生成させる。電磁波は、例えば周波数2.45GHzのマイクロ波であることが好ましい。
Claim (excerpt)：
水蒸気を含む気体雰囲気中で基体を酸化することによってシリコン酸化膜を形成する方法であって、少なくとも水素及び酸素を含む気体に電磁波を照射することによって水蒸気を生成させることを特徴とする半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法。
Patent cited by the Patent：
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