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J-GLOBAL ID：200903026227024385

半導体ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198590
Publication number (International publication number)：1994048715
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、p形、n形の半導体ダイヤモンドを製造する方法の提供。【構成】 ダイヤモンドあるいはダイヤモンドが薄膜状に堆積された基板素材101に対して、加速された粒子102を照射した後に、あるいは照射しながら、基板素材101に紫外線104を照射して、ダイヤモンドの損傷を回復するとともに粒子を活性化させる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドあるいはダイヤモンドが薄膜状に堆積された基板素材に対して、加速された粒子を照射した後に、前記基板素材に紫外線を照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/06 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268