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J-GLOBAL ID：200903026257717199

半導体装置の製造方法

Inventor： 久野 勇
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992311567
Publication number (International publication number)：1994163516
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】シリケートグラス膜6と、この膜の上に位置するボロンリンシリコン酸化膜7とを貫通するコンタクトホール8をウェットエッチングしてもコンタクトホール8の側壁に逆テーパ10が形成されず、このコンタクトホール8に配線材料を確実に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】フッ酸とフッ化アンモニウムの容積比率がフッ酸/フッ化アンモニウム=1/100〜1/200であるバッファードフッ酸を用いてコンタクトホール8をウェットエッチングする。

Claim (excerpt)：

シリケートグラス膜と、該シリケートグラス膜の上に形成したホウ素および燐を含んだシリコン酸化膜とを貫通するコンタクトホールの底に生成した酸化膜を、バッファードフッ酸を用いてウェットエッチングして除去する半導体装置の製造方法において、フッ酸とフッ化アンモニウムとの容積比率がフッ酸/フッ化アンモニウム=1/100〜1/200で混合した前記バッファードフッ酸を用いて前記ウェットエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/90