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J-GLOBAL ID：200903026264028625

真空紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成型品の表面改質方法

Inventor： 新納 弘之 ,  矢部 明 ,  佐藤 正健 ,  佐藤 愛子
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000338754
Publication number (International publication number)：2002146066
Application date： Nov. 07, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、フッ素系高分子成形品表面を位置選択的に親水化させた部位を作製する方法を提供することを目的とする。【課題手段】 フッ素系高分子成形品に、電気抵抗率20MΩ・cm以下の水または水蒸気の存在下に波長157nmの真空紫外フッ素レーザーを照射し、該高分子成形品の表面を親水化させることを特徴とするフッ素系高分子成形品表面の表面改質方法。

Claim (excerpt)：

フッ素系高分子成形品に、電気抵抗率20MΩ・cm以下の水または水蒸気の存在下に波長157nmの真空紫外フッ素レーザーを照射し、該高分子成形品の表面を親水化させることを特徴とするフッ素系高分子成形品表面の表面改質方法。

IPC (3)：

C08J 7/00 304 ,  C08J 7/00 CEW ,  C08L 27:12

FI (3)：

C08J 7/00 304 ,  C08J 7/00 CEW Z ,  C08L 27:12

F-Term (7)：

4F073AA01 ,  4F073BA15 ,  4F073BA16 ,  4F073CA46 ,  4F073CA61 ,  4F073CA69 ,  4F073CA71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フッ素樹脂の改質方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-313907   Applicant：オリンパス光学工業株式会社