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J-GLOBAL ID：200903026268244675

半導体装置の保護膜とその形成方法

Inventor： 稲井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996133244
Publication number (International publication number)：1997321041
Application date： May. 28, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 GaAs基板やInP基板等の半導体基板の表面に形成することができ、従来例に比較して、不純物が少なくかつ半導体と良好な界面を有する半導体装置の保護膜と、その形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された非晶質酸化ガリウム膜又は非晶質窒化ガリウム膜からなる半導体装置の保護膜であって、10-7Torr以下の真空中で、蒸発させた金属ガリウム分子を基板温度が200°C以下になるように設定された半導体基板上に堆積させることにより形成された金属ガリウム膜を、酸化処理又は窒化処理することにより形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された金属ガリウム膜を酸化処理してなることを特徴とする半導体装置の保護膜。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/80 B