SOI基板の作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008305901
Publication number (International publication number)：2009158943
Application date： Dec. 01, 2008
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：

【課題】絶縁体でなる基板から構成されるSOI基板を作製するに際し、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。【解決手段】絶縁体でなる第1の基板上に第1の絶縁膜を介して第1の単結晶半導体膜が設けられた第1のSOI基板と、第1の基板と同じ材料で形成された第2の基板とを用意し、第1の単結晶半導体膜上に第2の単結晶半導体膜を形成し、第2の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、第2の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第2の絶縁膜を形成し、第1のSOI基板の表面と第2の基板の表面とを対向させ、第2の絶縁膜の表面と第2の基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、剥離層を境として劈開することにより、第2の基板上に第2の絶縁膜を介して第2の単結晶半導体膜の一部が設けられた第2のSOI基板を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁体でなる第1の基板上に第1の絶縁膜を介して第1の単結晶半導体膜が設けられた第1のSOI基板と、前記第1の基板と同じ材料で形成された第2の基板とを用意し、前記第1の単結晶半導体膜上に第2の単結晶半導体膜を形成し、前記第2の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、前記第2の単結晶半導体膜上に第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜の表面と前記第2の基板の表面とを接合し、加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第2の基板上に前記第2の絶縁膜を介して前記第2の単結晶半導体膜の一部が設けられた第2のSOI基板を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6)：

H01L27/12 B , H01L21/265 F , H01L21/265 Q , H01L21/20 , H01L29/78 627D , H01L29/78 627G

F-Term (77)：

5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE32 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F152AA12 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE03 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE24 , 5F152CE29 , 5F152CE48 , 5F152DD02 , 5F152DD09 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF22 , 5F152FF28 , 5F152FF29 , 5F152FG04 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL16 , 5F152LL18 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN14 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337670 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-348136 Applicant：エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス.アー.

Cited by examiner (6)

SGOI基板の製造方法およびひずみSOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-201038 Applicant：株式会社東芝
半導体ウェーハの製造方法
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