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J-GLOBAL ID：200903026282910491

液晶素子の製造方法

Inventor： 中村 耕治 ,  森 薫
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991328875
Publication number (International publication number)：1993165038
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】液晶表示面中の気泡残留を防止しつつ液晶注入時間の短縮が可能な液晶素子の製造方法を提供する。【構成】シ-ル部3の対向辺対に開口された液晶注入口4、5から液晶注入空間に液晶6A、6Bを注入するので、シ-ル部3の一辺から注入する場合に比べて液晶注入速度を半減することができる。更に、このような対向二辺からの注入では液晶注入空間中の残留気体が液晶注入空間の中央部に集まって気泡を形成し易いが、本発明によれば液晶注入空間の中間領域への液晶注入を先行させ、液晶注入空間の周辺領域への液晶注入をこの中間領域から遠ざかるにつれて次第に遅延させているので、液晶注入空間内の残留気体は次第に液晶注入空間の両周辺部に誘導され、液晶表示面から除外される。

Claim (excerpt)：

対面配置された一対の透明基板の間の狭ギャップにシ-ル部を配設して液晶注入空間を囲むとともに、前記シ-ル部の互いに平行な一対の対向辺の少なくとも各中央部に液晶注入口をそれぞれ開口する液晶注入空間形成工程と、少なくとも前記両液晶注入口を含む前記シ-ル部の前記対向辺対にそれぞれ開口された液晶注入口から前記液晶注入空間に液晶を注入するとともに、前記対向辺対の各中央部の間に位置する液晶注入空間の中間領域への液晶注入を先行させ、前記中間領域両側の前記液晶注入空間の周辺領域への液晶注入を前記中間領域から遠ざかるにつれて次第に遅延させる液晶注入工程とを備えることを特徴とする液晶素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-241730
  
• 特開昭62-251722