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J-GLOBAL ID:200903026328274706
磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994063364
Publication number (International publication number):1995272221
Application date: Mar. 31, 1994
Publication date: Oct. 20, 1995
Summary:
【要約】【目的】 磁界感度が高いと共に再生出力が大きい磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供する。【構成】 MR素子1を等方性磁気抵抗材料により形成する。また、MR素子1の素子高さ(H)と素子幅(W)との比(H/W)を0.8以上とする。更に、接続電極2a,2bの素子高さ方向における長さ(WE )を素子高さ(H)に比して小さくする。更にまた、正面視でMR素子1のヘッド先端側の端部に接続電極2a,2bに被覆されない領域を設ける。
Claim (excerpt):
等方性磁気抵抗材料からなり素子高さ(H)と素子幅(W)との比(H/W)が0.8以上に設定された磁気抵抗素子と、素子高さ方向の長さ(WE )が前記素子高さ(H)に比して小さく設定され前記磁気抵抗素子に接続された1対の接続電極とを有し、正面視でヘッド先端側における前記磁気抵抗素子の端部の少なくとも一部が前記接続電極に被覆されていないことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
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