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J-GLOBAL ID：200903026346046940

スパッタリング装置

Inventor： 鈴木 康之 ,  大谷 実 ,  安藤 謙二 ,  信宮 利昭 ,  枇榔 竜二 ,  金沢 秀宏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151698
Publication number (International publication number)：2001335924
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 膜特性の向上した堆積膜を安価で高速に形成する。【解決手段】 内部にターゲット30を有するスパッタ電極部22は、一面のみに開口21が形成され、被処理基板90は、ターゲット30の法線方向31の投影面に交わらない位置に保持機構80により保持されている。不活性ガスは不活性ガス供給装置150からスパッタ電極部22の内部に導入される。反応性ガスは、スパッタ電極部22の外部で、かつ、被処理基板90とターゲット30との間に、第1の反応性ガス供給装置130および第2の反応性ガス供給装置140から供給される。永久磁石60による磁場は、スパッタ部のプラズマをトラップする。制御装置160は、各ガスのガス流量及びターゲット30の電圧を制御する。スパッタ電力供給装置190、191は、アノード電極70-ターゲット30間に直流電圧を印加し、1kHzから500kHzの高周波の矩形反転電圧を重畳できる。

Claim (excerpt)：

薄膜が形成されるべき基板および少なくとも1つのターゲットが内部に載置され、電極であるアノードと、前記ターゲットに磁気回路を形成する磁界形成手段とを有する真空容器と、前記アノードおよび前記ターゲットに電力を供給する電力供給手段と、反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを有するスパッタリング装置において、一面のみに開口が形成されており、内部に載置された平板状の前記ターゲットと内部に設けられた前記アノードとによるスパッタ部に前記不活性ガス供給手段から不活性ガスが供給されるスパッタ電極を前記真空容器内に有し、前記基板が、前記スパッタ電極の外部であり、前記ターゲットの法線方向投影面と交わらない位置に載置され、前記スパッタ電極と前記基板との間に前記反応性ガス供給手段から供給される反応性ガスが導入されることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35

FI (2)：

C23C 14/34 C ,  C23C 14/35 Z

F-Term (18)：

4K029BA42 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BB02 ,  4K029BC08 ,  4K029CA06 ,  4K029DA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC28 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09 ,  4K029JA01