多層配線の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036534
Publication number (International publication number)：1993234996
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】アルミ配線の疎密に依存せず、良好な平坦性を有し、スルーホール接続不良の無い、高品質多層配線間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】基板4上にシラン系プラズマ酸化膜3を堆積し、アルミ合金膜,PSG膜を堆積した後、アルミ合金膜およびPSG膜を同時に加工し、アルミ配線6の上面にPSG膜5があるような構造を作製する。次に、O3 /TEOS常圧CVD法で、O3 /TEOS酸化膜8を形成して、平坦な層間絶縁膜を得る。この工程を繰り返すことで、多層配線が形成される。

Claim (excerpt)：

第1の絶縁膜と、アルミ合金,高融点金属或いはそのシリサイド等の金属膜と、第2の絶縁膜をこの順で形成する工程と、該第2の絶縁膜と該金属膜をリソグラフィー法およびドライエッチング法を用いて同時にパターニングする工程と、原料ガスの少なくとも一部分に、オゾンと有機シランを含む気相成長法(以下、オゾン-有機シラン化学気相成長、と言う)によって、第3の絶縁膜を形成する工程とを、この順で、含むことを特徴とする多層配線の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-222561 Applicant：三星電子株式会社
特開平4-356945
半導体装置における金属層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-271888 Applicant：三星電子株式会社

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