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J-GLOBAL ID：200903026351470636

積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法

Inventor： 杉山 寿伸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993301140
Publication number (International publication number)：1995130887
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 メモリセルのデータ保持特性及びゲートディスターブ耐性を高め且つ特性のばらつきを小さくする。【構成】 多結晶Si膜13に対する高速熱酸化で、その表面にSiO2 膜14を形成した後、SiN膜15を堆積させ、再び高速熱酸化を行ってSiN膜15の表面にSiO2 膜16を形成して、浮遊ゲートと制御ゲートとの容量結合用のONO膜17を形成する。この結果、結晶粒による多結晶Si膜13の表面の凹凸が大きくなるのを防止することができて電流リーク特性及び絶縁破壊特性に優れており且つ膜厚の均一性の高いONO膜17を形成することができる。

Claim (excerpt)：

浮遊ゲート上に絶縁膜を介して制御ゲートが積層されている積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記浮遊ゲート用の多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜に対する高速熱酸化でこの多結晶半導体膜の表面に半導体酸化膜を形成し、この半導体酸化膜を前記絶縁膜の少なくとも一部にする工程とを有することを特徴とする積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792