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J-GLOBAL ID：200903026368884884

レジストパタン形成方法及び半導体装置製造方法

Inventor： 土屋 裕子 ,  白石 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040934
Publication number (International publication number)：1997232218
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】ArFリソグラフィにおいて,ハロゲンを含むガスに対し十分なドライエッチング耐性を持つ電極加工用の微細なレジストパタンの形成方法を得る。【解決手段】基板1上に多結晶シリコン2を堆積させ,この上に側鎖または主鎖に芳香族性の官能基が存在する高分子化合物を含む樹脂の下層レジスト3を形成し、この下層レジスト上にシリコン原子を含有するネガ型放射線感応性材料4を塗布して上層レジストを形成し、この2層レジストに活性化学線を照射して上層レジストにネガ型パタン5を形成し,この上層レジストをマスクとし下層レジストの露出部を反応性酸素イオンエッチングして上層レジストのパタンを下層レジストに転写し,ふっ素と炭素原子を含むガスによるアッシングで上層レジストを除去する。

Claim (excerpt)：

ドライエッチングする際のマスクとして使用するレジストパタン形成において,所定の基板上に金属膜を形成し,前記金属膜上に2層レジストの下層として側鎖または主鎖に芳香族性の官能基が存在する高分子化合物を少なくとも含む有機性樹脂からなる塗膜を形成する工程と,前記下層レジストの上にシリコン原子を含有するネガ型放射線感応性材料からなる上層レジストを形成する工程と,前記の2層レジストに活性化学線を照射した後現像して上層レジストに所定のネガ型パタンを形成する工程と,前記のパタン形成された上層レジストをマスクとし反応性酸素イオンエッチングにより下層レジストの露出部をエッチングして上層レジストのパタンを下層レジストに転写する工程と,少なくともふっ素原子ならびに炭素原子を含むガスによるアッシングで上層レジストを除去する工程からなることを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 21/30 573 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H