ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373077
Publication number (International publication number)：2002174903
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において解像力、ラインパターンのエッジラフネスに優れ、現像欠陥の少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)特定の部分構造を有する繰り返し単位と、特定の構造で表される繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(I)で表される部分構造を有する繰り返し単位と、下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、m1は1から6の整数を表す。R1及びR2はそれぞれアルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR1とR2が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R3及びR4はそれぞれ水素原子、アルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR3とR4が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R5〜R7はそれぞれアルキル基、環状アルキル基、アリール基、アリル基、トリアルキルシリル基又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。【化2】式(II)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。L1は単結合または2価の連結基を表す。X1は-CO2-、-O-、-CONH-、-CON(R)-から選ばれる基を表す。ここでRは置換されていても良い炭素数1〜10のアルキルまたはアリール基を表す。Aはラクトン構造を含む基、ラクタム構造を含む基、置換基として-OH、-OCH3、-OCORa、-OCOORa、-OCONHRa、-OCON(Ra)(Rb)、-NHCORa、-NHCOORa、-NHSO2Ra、-N(R)CORa、-N(R)COORa、-N(R)SO2Ra、-COOR、-CONHRa、-CONHSO2Ra、-CON(R)SO2Ra、-CON(Ra)(Rb)、-CNの群から選ばれる少なくとも1つの官能基を含有する飽和脂肪族基を表す。ここでR、Ra、Rbはそれぞれ独立に置換されていても良い炭素数1〜10のアルキルまたはアリール基を表す。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/42 , C08L101/02 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/42 , C08L101/02 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF03 , 2H025BF05 , 2H025BF11 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG021 , 4J002BG072 , 4J002BK001 , 4J002EB006 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002ER027 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU077 , 4J002EU117 , 4J002EU127 , 4J002EU137 , 4J002EU147 , 4J002EU186 , 4J002EU226 , 4J002EU237 , 4J002EV127 , 4J002EV216 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002EY006 , 4J002EZ006 , 4J002FD206 , 4J002GP03

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