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J-GLOBAL ID：200903026384304324
結晶育成用坩堝及び単結晶及び単結晶の育成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006206222
Publication number (International publication number)：2007112700
Application date： Jul. 28, 2006
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】 融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。【解決手段】 坩堝材料から構成された坩堝内にあるからなるLGS(La3Ga5SiO14)又はSGG(Sr3Ga2Ge4O14)又はLTG(La3Ta0.5Ga5.5O14)又はニオブ酸リチウムLN(LiNbO3)又はタンタル酸リチウムLT(LiTaO3)又はニオブ酸カリウムリチウムKLN(K3Li2Nb5O15)結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成する方法において、結晶材料の融液である結晶液滴11と坩堝材料で作製された板型試料10との接触角12が8°以上である坩堝材料を用いた坩堝を使用した単結晶育成方法。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
坩堝材料から構成された坩堝内にあるLGS(La3Ga5SiO14)又はSGG(Sr3Ga2Ge4O14)又はLTG(La3Ta0.5Ga5.5O14)又はニオブ酸リチウムLN(LiNbO3)又はタンタル酸リチウムLT(LiTaO3)又はニオブ酸カリウムリチウムKLN(K3Li2Nb5O15)からなる結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成するのに使用する結晶育成坩堝において、前記結晶材料の融液と前記坩堝材料との接触角が8°以上である前記坩堝材料を用いたことを特徴とする結晶育成坩堝。
IPC (5)：
C30B 15/10
, C30B 29/34
, C30B 29/32
, C30B 29/30
, C30B 15/08
C30B15/10
, C30B29/34 Z
, C30B29/32 G
, C30B29/30 B
, C30B29/30 A
, C30B15/08
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BC31
, 4G077BC32
, 4G077BC36
, 4G077BC37
, 4G077BC44
, 4G077BD15
, 4G077CF01
, 4G077EB01
, 4G077EG02
, 4G077HA01
, 4G077HA11
, 4G077PC02
, 4G077PD01
Cited by applicant (2)
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単結晶育成用坩堝及びそのアフターヒーター
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-276997
Applicant：株式会社フルヤ金属
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単結晶作製方法及び単結晶作製用容器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-156567
Applicant：日本電信電話株式会社, 宇宙開発事業団
Cited by examiner (2)
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酸化物単結晶の製造方法および装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-065883
Applicant：日本碍子株式会社
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単結晶育成用坩堝及びそのアフターヒーター
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-276997
Applicant：株式会社フルヤ金属
Article cited by the Patent：
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