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J-GLOBAL ID：200903026384357827

磁気素子

Inventor： 高橋 義則 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995216984
Publication number (International publication number)：1997064434
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光学系を用いることなく磁気結合状態を変化することのできる磁気素子を提供する。【解決手段】第1の導電性強磁性層(1)と第2の導電性強磁性層(2)との間に印加電圧を制御できる電位制御手段(4)、例えば電圧可変直流電圧源を接続し、この電圧を変えることで、トンネル絶縁膜としての第1及び第2の導電性強磁性層(1)(2)の誘電体層(3)のポテンシャル障壁を変化させる。

Claim (excerpt)：

第1の導電性強磁性層と第2の導電性強磁性層との間に介在する誘電体層とを備えた積層膜と;前記誘電体層の電位を制御し、前記第1及び第2の導電性強磁性層の磁気結合状態を変化せしめる電位制御手段とを具備したことを特徴とする磁気素子。

IPC (3)：

H01L 43/00 ,  C23C 14/08 ,  H01L 43/10

FI (3)：

H01L 43/00 ,  C23C 14/08 N ,  H01L 43/10