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J-GLOBAL ID：200903026390734080

シリコン基板の酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法

Inventor： 山本 仁 ,  岡崎 久雄 ,  河村 勝文 ,  進藤 春雄
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079232
Publication number (International publication number)：2002280369
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 集積回路の更なる高密度化・微細化に対応可能なシリコン酸化膜の形成装置及びシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 酸素の負イオンを用いることにより、基板の損傷が低減され、また基板の裏面側からバイアスを印加することで、熱酸化のように面方向に酸化が広がることが殆どなく、深さ方向に酸化が進む、即ち酸化膜が方向性をもって形成されるため、所望の領域を所望の深さまで好適に酸化できる。従って、半導体集積回路等の微細加工が容易になり、一層の高集積化が可能となる。特に底面部の酸化深さを側面部よりも厚くしたいトレンチ部に有効である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に酸化膜を形成するための装置であって、酸素を含むプラズマを発生する手段と、前記プラズマ発生手段により発生したプラズマ中の酸素負イオンを前記シリコン基板に照射する手段とを有することを特徴とするシリコン基板の酸化膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 A

F-Term (14)：

5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045EH03 ,  5F045EH20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF73 ,  5F058BG01 ,  5F058BG03 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ06