Pat
J-GLOBAL ID：200903026393353656
半導体レーザジャイロ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992084088
Publication number (International publication number)：1993288556
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 経時変化による光学部品の位置精度劣化を低減し、小型で高精度な半導体レーザジャイロを提供すること。【構成】 pn接合を有する半導体基板10上に、リング共振器の機能を有するリング状の利得導波路11を形成し、電極22を介して電流を流すことにより利得導波路11内にキャリアを注入してレーザ発振を生じさせる。利得導波路11内を時計回転方向及び反時計回転方向に伝搬するレーザ光のそれぞれの一部を光出力面13,14から取り出して光吸収領域17にて干渉させ、干渉光強度を電極23を介して光電流として取り出す。【効果】 各光学部品が同一の半導体基板上に一体に形成されるため、集積化が可能であると共に、各光学部品の位置精度を厳密に設定することができるので、小型、且つ高精度なジャイロを構成でき、安価にて供給することができる。
Claim (excerpt)：
移動する物体の角速度を検出するための半導体レーザジャイロであって、リング形状の共振器構造をなす半導体利得導波路と、該半導体利得導波路内にキャリアを注入するキャリア注入手段と、前記半導体利得導波路内を時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬する光の一部をそれぞれ出力するための光出力手段とを具備し、該光出力手段から出射された前記時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬する光が重なり合う位置に、受光強度に対応した電気信号を出力する光検出器を設けた、ことを特徴とする半導体レーザジャイロ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
