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J-GLOBAL ID：200903026394411455

ヘテロ層状多層薄膜における電荷ジェネレータ

Inventor： トンプソン,マーク,イー.
Applicant, Patent owner： ユニヴァシティ オブ サザーン カリフォルニア
Agent (1)： 八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000502544
Publication number (International publication number)：2001510277
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jul. 31, 2001
Summary：

【要約】支柱が各末端にホスホネートまたはアルセネートを有する2価の電子アクセプター部分からなる、複数の支柱金属錯体が支持基材上に配置される多層状組成物。支柱は、本質的に電子供与性、電子受容性または電荷発生性でありうる。平行な支柱の各層は、(IVA)、(IVB)、(IIIA)または(IIIB)族の金属またはランタニドの層によって分離される。組成物は、錯体の各層内に取り込まれる原子価ゼロの少なくとも一のVIII族金属のコロイド粒子をさらに含んでいてもよい。錯体はまた、各電子受容基周辺に一連の間隙を形成する支柱により点在するキャップドアルソナトまたはホスホナトリガンドの「鍾乳石」および「石筍」を含ませてもよい。支持基材は、有機ポリマー鋳型から構成されてもよい。錯体は、太陽エネルギーの変換及び貯蔵に、光電流の製造に、ならびに例えば、酸素と水素ガスから過酸化水素の製造、水からH2ガスの製造、及びケトンの還元によるアルコールの形成等の、還元反応の触媒として有用である。

Claim (excerpt)：

一またはそれ以上の電荷供与層及び一またはそれ以上の電荷受容層を有するヘテロ層状膜を表面に有する支持基材からなる光起電装置であって、各層が(i)複数の下記式: 【化1】 ただし、 Y1及びY2はそれぞれ、互いに独立して、リンまたは砒素であり; Zは、安定した還元形態及び安定した酸化形態を可逆的に形成する二価の基であり; Xは、陰イオンであり; MeYは、Me1nWmであり、この際、 Me1は、少なくとも21の原子番号を有するIII、IVA、若しくはIVB族の二価、三価、または四価の金属またはランタニドであり; Wは、陰イオンであり; nは、1、2、または3であり; mは、0、1、2、3、または4である; kは、1から約250までの値を有し; pは、0、1、2、または3の値を有し;および qは、Xの電荷であり、 この際、Y1、Y2、Z、及びMe1は各層で異なっていてもよい、の錯体;ii)該一またはそれ以上の電荷供与層及び一またはそれ以上の電荷受容層間に存在する一またはそれ以上の電荷ジェネレータ層からなり; 該膜が連結手段を介して該基材に結合する光起電装置。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子受容体組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-506479   Applicant：ザトラスティーズオブプリンストンユニヴァシティ, トンプソン,マーク,イー., スノヴァー,ジョナサン,リー, ヴァーモイレン,ローリー,アン