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J-GLOBAL ID：200903026398619174
強誘電体結晶基板の加工方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034823
Publication number (International publication number)：1999228294
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】ステップ型の屈折率分布をもつ光導波路を形成した場合においても、高い光ファイバ結合効率及び耐光損傷性を得ることができるとともに、電気光学定数が低下するという問題を防止することが可能な強誘電体結晶基板の加工方法を提供する。【解決手段】リチウム塩を含有した酸をプロトン源として用いて、強誘電体結晶のXカット面又はZカット面からなる強誘電結晶基板上にプロトン交換層を形成し、このプロトン交換層を選択的に除去することによって、開口半幅と等しいか、又はこれよりも大きな深さの凹部からなる凹型溝構造、又はエッジ部分の曲率半径と等しいか、又はこれよりも大きな高さの肩部からなる凸型リッジ構造を形成することを特徴とする強誘電結晶基板の加工方法である。
Claim (excerpt)：
強誘電体結晶基板に、プロトン交換によって所定のプロトン交換層を形成し、前記プロトン交換層を選択的に除去して、前記強誘電体結晶基板上に凹型溝構造を形成する強誘電体結晶基板の加工方法において、前記プロトン交換層を形成する際のプロトン源として、リチウム塩を含有した酸を用い、強誘電体結晶のXカット面又はZカット面を用いた前記強誘電結晶基板の主面上に、開口半幅と等しいか、 又はこれよりも大きな深さの凹部からなる凹型溝構造を形成することを特徴とする、強誘電結晶基板の加工方法。
IPC (4)：
C30B 29/30
, G02B 6/13
, G02F 1/37
, H01B 3/00
C30B 29/30 Z
, G02F 1/37
, H01B 3/00 Z
, G02B 6/12 M
