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J-GLOBAL ID：200903026436580155
高飽和磁束密度軟磁性膜
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991095877
Publication number (International publication number)：1993090027
Application date： Apr. 25, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、従来よりも保持力の低い磁性膜を提供すること及び高周波域での渦電流損失の低い磁性膜を提供すること及び高い熱的安定性を持つ磁性膜を提供することを目的とする。【構成】 本発明はFe<SB>x </SB>M<SB>Y </SB>O<SB>z </SB>Q<SB>w </SB>(ただしMは、ZrとHfの内、1種以上の元素を示し、QはCとNの内、1種以上を示し、<SB>X</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>は各々原子%を示す。)の組成式で示され、前記<SB>X</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>が、70≦<SB>X</SB><96、1≦<SB>Y</SB>≦12、3≦<SB>Z</SB>≦25、<SB>W</SB>≦26、<SB>X</SB>+<SB>Y</SB>+<SB>Z</SB>+<SB>W</SB>=100なる組成よりなる関係を満足するものである。【効果】 Cを添加したものは、従来よりも低い保磁力が得られ、耐熱性の低い樹脂を絶縁層として用いる薄膜磁気ヘッド用として好適である。Nを特定量添加したものは、高い熱的安定性を持つ。
Claim (excerpt)：
Fe<SB>x </SB>M<SB>Y </SB>O<SB>z </SB>Q<SB>w </SB>(ただしMは、ZrとHfの内、1種以上の元素を示し、QはCとNの内、1種以上を示し、<SB>x</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>は各々原子%を示す。)の組成式で示され、前記<SB>x</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>が、70≦<SB>x</SB><96、1≦<SB>Y</SB>≦12、3≦<SB>Z</SB>≦25、<SB>W</SB>≦26、<SB>x</SB>+<SB>Y</SB>+<SB>Z</SB>+<SB>W</SB>=100なる組成からなることを特徴とする高飽和磁束密度軟磁性膜。
IPC (2)：
H01F 10/14
, C22C 38/00 303
