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J-GLOBAL ID：200903026439917924

半導体デバイスの製造方法並びに製造ラインの診断方法、そのシステムおよびそのプログラム

Inventor： 三輪 俊晴 ,  水本 久志 ,  所附 一之 ,  宮本 佳幸 ,  横内 哲司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002137278
Publication number (International publication number)：2003332209
Application date： May. 13, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造ラインにおいて、半導体デバイスの不具合の起因が、半導体デバイスの品種、プロセス(工程)、製造装置のいずれかによるかを診断できるようにして製造装置の故障などによる不稼働時間を低減できるようにした半導体デバイスの製造方法、並びに製造ラインの診断方法、そのシステムおよびそのプログラムを提供するものである。【解決手段】本発明は、多品種の半導体デバイス製造ラインにおける各工程毎の検査データおよびその際の製造装置の製造条件の実績値を用いて、半導体デバイス製造の検査工程における規格外れ要因を、製造装置起因とプロセス起因に分離する診断処理を行う。

Claim (excerpt)：

製造装置群が存在する製造プロセスを複数有する要素プロセスを複数から構成されるプロセスモジュールを複数経て半導体デバイスを製造する製造ラインにおいて、前記所定の製造プロセスに存在する製造装置群内の複数の製造装置の各々で製造された半導体基板に対して要因別に検査した検査結果と前記複数の製造装置の各々に対して設定した製造条件とを基に算出される評価指標を、予め定義した製造カテゴリ組合せ毎に、複数の半導体基板に対して集計し、該集計された評価指標を基に不具合を示す製造カテゴリを抽出して不具合を示す製造カテゴリの情報を出力する診断処理部を備え、該診断処理部から出力される不具合を示す製造カテゴリの情報を基に対策を施して半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G05B 19/418 ,  G05B 23/02 ,  H01L 21/02

FI (4)：

G05B 19/418 Z ,  G05B 23/02 T ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/30 502 G

F-Term (12)：

3C100AA57 ,  3C100AA58 ,  3C100BB03 ,  3C100BB27 ,  3C100EE06 ,  5F046AA28 ,  5F046DA30 ,  5F046DD06 ,  5H223AA05 ,  5H223DD09 ,  5H223EE06 ,  5H223FF06