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J-GLOBAL ID：200903026440190809

半導体装置の製造方法

Inventor： 吉田 真治 ,  池田 義人 ,  山口 琢己 ,  村田 隆彦 ,  春日 繁孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005210717
Publication number (International publication number)：2007024800
Application date： Jul. 21, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：

【課題】 中空構造を有する半導体装置の製造方法であって、メンブレンの破損を防いで歩留まりを向上させることができる製造方法を提供する。 【解決手段】 犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。 【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

犠牲層エッチングを用いる半導体装置の製造方法であって、 犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 ウエハからチップを切り出すダイシング工程と、 エッチングによって犠牲層を除去するエッチング工程と、を含み、 ダイシング工程の後にエッチング工程を実行する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/00 ,  H01L 21/306

FI (4)：

G01J1/02 C ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 B ,  H01L21/302 105B

F-Term (33)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065BB24 ,  2G065DA20 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA30 ,  4M118CA14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118GA10 ,  4M118HA30 ,  5F004BA19 ,  5F004DA00 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB30 ,  5F004EA09 ,  5F004EA38 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB14 ,  5F088GA03 ,  5F088HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 精密機械的な構造要素、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-389728   Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体装置の製造方法および赤外線イメージセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-125827   Applicant：三菱電機株式会社