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J-GLOBAL ID：200903026443196271

半導体素子及び樹脂封止型半導体装置

Inventor： 西野 友規
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993169637
Publication number (International publication number)：1995007105
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子1を配線基板15にフェイスボンディングしたとき半導体素子1側の回路素子、配線膜と、配線基板15側の回路素子、配線膜との間に生じる寄生容量を小さくし、且つ放熱性を高くする。【構成】 電子回路が形成された主面上に複数の突起電極2、2、...と共に、外側からの封止樹脂の侵入を阻む放熱用の突起3を配設する。

Claim (excerpt)：

電子回路が形成された主面上に複数の突起電極と共に、放熱用突起を配設したことを特徴とする半導体素子

IPC (2)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311