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J-GLOBAL ID：200903026450367553
半導体レーザモジュール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993311308
Publication number (International publication number)：1995140362
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 レーザダイオードチップ近傍を25°Cの温度に制御したまま、50°C以上の高い環境温度の下で、半導体レーザモジュールを高出力動作させるために、ペルチェ素子上部に搭載される部材の材質及び構造を熱設計的に最適化する半導体レーザモジュールを提供する。【構成】 レーザダイオードチップ1を融着したヒートシンク2が約270W/mK以上の熱伝導率を有する金属またはセラミック材質てできた部分に取付けられ、かつヒートシンク2を取付けた部分が、ペルチェ素子8上部に取付けられた金属製基板6より突出させる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子と、ペルチェ素子と、前記ペルチェ素子上に設けられて前記半導体レーザ素子を搭載するための基板とを有する半導体レーザモジュールであって、前記半導体レーザ素子を融着したヒートシンクと、前記基板上に設けられかつ前記ヒートシンクが取付けられ略270W/mK以上の熱伝導率を有する部材とを有することを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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