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J-GLOBAL ID：200903026452481370

GaN系結晶成長用基板およびその用途

Inventor： 古田 正寛 ,  濱村 寛
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン ,  三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000083729
Publication number (International publication number)：2001261498
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 選択成長法のマスク層材料にタングステンを含みながらも、GaN系半導体素子の特性を改善し得るGaN系結晶成長用基板を提供することであり、それを用いて形成したGaN系半導体素子を提供すること。【解決手段】 GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、マスク領域dと非マスク領域eとが形成されるパターンにてマスク層2を形成し、ELO技術に対応し得るGaN系結晶成長用基板とする。ここで、該マスク層の材料をタングステン窒化物(特に窒素の組成比率は0〜50atm%が好ましい)として、マスク層直下のエッチングを抑制する。当該成長用基板を用いることによって、素子の特性劣化が抑制される。

Claim (excerpt)：

GaN系結晶が成長可能な結晶基板の該基板面に、マスク領域と非マスク領域とが形成されるパターンにてマスク層が設けられ、該マスク層がタングステン窒化物からなるものであることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (38)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077DA11 ,  4G077FG02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045DA53 ,  5F045DC55 ,  5F045EB15 ,  5F045HA12 ,  5F073AA51 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35