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J-GLOBAL ID：200903026458219391

キャパシタおよびその製造方法

Inventor：
▲黄▼ 哲盛

About ▲黄▼ 哲盛


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287560
Publication number (International publication number)：1996222712
Application date： Nov. 06, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【課題】 Ti膜、TiN膜およびTa膜より構成された三重膜を拡散障壁層としたキャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板30の全面には、中心部と他部との間に段差を有し前記中心部にはコンタクトホールを有する第1絶縁膜32aが形成されている。前記コンタクトホールの内壁にはスペーサ34が形成され、前記コンタクトホールには第1導電層38が充填され、第1絶縁膜32aの前記中心部上には三重膜40a、42a、44aおよび第2導電層46aが順に形成され、結果物の全面に第2絶縁膜50が形成され、第2絶縁膜50の全面に第3導電層52が形成されている。三重膜のTa膜44aを用いて酸素とTiN膜との反応で発生する金属酸化物および窒素気体の形成を防止できるので、窒素気体による下部ストレージノードの粗さやリフティングを防止して金属酸化物によるキャパシタンスの損失を防止し得る。
Claim (excerpt)：
半導体基板の全面に形成され、コンタクトホールを有する中心部分と前記中心部分以外の部分との間に段差を有する第1絶縁膜と、前記コンタクトホールの内壁に形成されたスペーサと、前記コンタクトホールを充填した第1導電層と、前記第1絶縁膜の前記中心部分の上部に順に形成された三重膜よりなる拡散障壁層および第2導電層と、前記第2導電層の上から前記第1絶縁膜の全面に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の全面に形成された第3導電層と、を備えることを特徴とするキャパシタ。
IPC (4)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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