セル型MOSトランジスタアレイ用のダイヤモンド形状ゲートメッシュ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小橋一男 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995514426
Publication number (International publication number)：1997505689
Application date： Aug. 15, 1994
Publication date： Jun. 03, 1997
Summary：

【要約】ポリシリコンゲートメッシュ(36)を組込んだセル型トランジスタ構成体が開示されている。1実施例においては、ポリシリコンゲートメッシュ(36)下側のシリコンはN型(32)であり、一方該ポリシリコンによって被覆されていない露出されている区域はPドーパントでドープされてP型ソースセル(42)及びドレインセル(44)を形成している。金属ストリップ(52/54)はソースセル(42)及びドレインセル(44)の行とコンタクトするために使用されている。ポリシリコンゲートメッシュ(36)における開口をダイヤモンド形状に形成し(即ち、長い対角線と短い対角線とを有する)且つ金属ストリップ(52/54)をダイヤモンド形状の短い対角線の方向と同一の方向に配列させることによって、トランジスタ構成体の面積を増加させることなしにトランジスタのオン抵抗を減少させることが可能である。なぜならば、ポリシリコンメッシュのダイヤモンド形状は金属ストリップ(52/54)をセル間においてより幅広であり且つより短いものとすることを可能としているからである。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタにおいて、上部表面を持った半導体物質、前記半導体物質の前記上部表面の上側に存在しており且つそれから絶縁された導電性ゲートであって、複数個の実質的に同一の開口を持ったメッシュを形成しており、前記開口の各々が長い対角線と短い対角線とを持った引き延ばされたダイヤモンド形状に近似している導電性ゲート、前記ゲート下側に位置した前記半導体物質の第一領域であって、前記MOSトランジスタのチャンネル領域を形成するために第一導電型である第一領域、前記メッシュにおける前記開口によって露出されている前記半導体物質の第二領域であって、前記MOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成するために第二導電型であり、前記ソース領域及びドレイン領域は前記開口の交互の行内に位置されており、各行が前記開口の前記短い対角線の方向に沿っている第二領域、前記ソース領域の第一の行の中央部分の上側に存在しており且つそれと電気的に接触する物質から構成されておりソース電圧へ接続される第一導電性ストリップ、前記ソース領域の第一の行に隣接したドレイン領域の第二の行の中央部分の上側に存在しており且つそれと電気的に接触している物質からなる第二導電性ストリップ、を有するトランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-165678
特開平2-285658
特開平4-111360

Cited by examiner (5)

特開平3-278579
特開平4-165678
特開平4-165678

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