マグネシウム基水素化物の製造方法及びマグネシウム基水素化物の製造装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：河野登夫 , 河野英仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007125866
Publication number (International publication number)：2008044832
Application date： May. 10, 2007
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

【課題】マグネシウム基水素化物を製造するための投入エネルギーを低減できるマグネシウム基水素化物の製造方法及びマグネシウム基水素化物の製造装置を提供する。【解決手段】マグネシウムを主成分とする原料粉体を水素ガス雰囲気中に保持し、水素ガス雰囲気中の温度及び圧力をMgとH2 とが熱力学的に安定に共存する温度・圧力領域に維持する第1の熱処理を行うことにより、Mg表面の被膜を除去させる。次に、水素ガス雰囲気中の温度及び圧力を変更してMgH2が熱力学的に安定に存在する温度・圧力領域に維持する第2の熱処理を行うことにより、被膜が除去されたMgが速やかにH2 と反応して高収率でMgH2が製造される。活性化処理を必要とする従来技術に比べて、少ない投入エネルギーで高純度のMgH2 を含むマグネシウム基水素化物を得ることが可能となる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

マグネシウムを主成分とする原料粉体を水素ガス雰囲気中に保持しておき、前記水素ガス雰囲気中の温度及び圧力を、単体のマグネシウム及び水素分子が熱力学的に安定に共存する温度・圧力領域に維持することによって、前記原料粉体表面の被膜を除去し、次に、前記水素ガス雰囲気中の温度及び圧力を、単体のマグネシウムと水素分子とが化合した水素化マグネシウムが熱力学的に安定に存在する温度・圧力領域に維持することによって、前記原料粉体からマグネシウム基水素化物を製造することを特徴とするマグネシウム基水素化物の製造方法。

IPC (2)：

C01B 6/04 , C01B 3/08

FI (2)：

C01B6/04 , C01B3/08 B

F-Term (2)：

5H027AA02 , 5H027BA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

水素発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-010688 Applicant：本田技研工業株式会社

Cited by examiner (9)

水素吸蔵・放出材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-117271 Applicant：株式会社豊田中央研究所
水素吸蔵合金の活性化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-321641 Applicant：マツダ株式会社
水素吸蔵合金の再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-335446 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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