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J-GLOBAL ID：200903026480252718
シリコン窒化膜のドライエッチング方法及びドライエッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994068942
Publication number (International publication number)：1995235525
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して高選択比で選択エッチングすること。【構成】被処理基体12を収容した容器11内に、弗素元素を含むガスを容器11とは別の領域18で励起してガス導入口14から導入するとともに、弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスをガス導入口20から容器11内に直接導入して、被処理基体12に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
被処理基体を収容した容器内に、弗素元素を含むガスを前記容器とは別の領域で励起して導入するとともに、弗素元素以外のハロゲン元素を含むガスを前記容器内に直接導入して、前記被処理基体に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とするシリコン窒化膜のドライエッチング方法。
FI (2)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 B
