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J-GLOBAL ID：200903026491303500

ルチル単結晶の育成方法

Inventor： 古滝 敏郎 ,  矢口 洋一 ,  砂川 和彦 ,  佐藤 次男 ,  戸嶋 博昭 ,  佐々木 忠
Applicant, Patent owner： 並木精密宝石株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371457
Publication number (International publication number)：2001181091
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】ルチル単結晶の育成方法の一つであるEFG法において、種結晶の大きさを変えることによって、結晶欠陥の無いルチル単結晶を育成する。【解決手段】制御された炉内で、坩堝1内の原料溶融液2内にスリットダイ3を設け、そのスリット4を利用して溶融液2をスリットダイ3の上面まで上昇させ、スリットダイ3どおりの形状に単結晶8を引き上げる結晶成長法(EFG)において、スリットダイ3の幅と種結晶5の幅を一致させて引き上げ育成することで、結晶欠陥の無い単結晶8を製造する。

Claim (excerpt)：

制御された炉内で、坩堝内の原料溶融液内にスリットを有するダイを設け、そのスリットを利用して溶融液をダイの上面まで上昇させ、ダイどおりの形状に単結晶を引き上げる結晶成長法(EFG)において、ダイの幅と種結晶の幅を一致させたことを特徴とするルチル単結晶の育成方法。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 15/34 ,  G02B 5/30

FI (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 15/34 ,  G02B 5/30

F-Term (8)：

2H049BA02 ,  2H049BB42 ,  4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077CF02 ,  4G077CF03 ,  4G077PK03 ,  4G077PK04