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J-GLOBAL ID：200903026497395563

薄膜形成装置

Inventor： 渡辺 均
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066356
Publication number (International publication number)：1994283433
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 緻密で欠陥の少ない高品質の薄膜を容易に形成し得る薄膜形成装置を提供しようとするものである。【構成】 基体12上に堆積膜を形成するための成膜手段8と、前記基体12上の堆積膜を1°C/秒〜200°C/秒の昇温速度で急速加熱するための急速加熱手段10とを具備したことことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基体上に堆積膜を形成するための成膜手段と、前記基体上の堆積膜を1°C/秒〜200°C/秒の昇温速度で急速加熱するための急速加熱手段とを具備したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 41/24

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-172742
  
• 特開平4-247623
  
• 特開昭57-010240