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J-GLOBAL ID:200903026499241172
静電容量センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長門 侃二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001132479
Publication number (International publication number):2002328110
Application date: Apr. 27, 2001
Publication date: Nov. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高温高湿環境下においてもドリフト劣化が抑制されている静電容量センサ、とりわけ湿度検出センサを提供する。【解決手段】 一対の電極2A,2Cの間に高分子膜2Bが介在するセンサ本体2が、上下方向に貫通する少なくとも1個の貫通孔1Aを有する基板1の片面に配置されている静電容量センサ。
Claim (excerpt):
一対の電極の間に高分子膜が介在するセンサ本体が、基板の厚み方向に貫通する少なくとも1個の貫通孔を有する基板の片面に配置されていることを特徴とする静電容量センサ。
F-Term (19):
2G060AA01
, 2G060AB02
, 2G060AB19
, 2G060AB21
, 2G060AB22
, 2G060AE19
, 2G060AF03
, 2G060AF06
, 2G060AF10
, 2G060AF11
, 2G060AG08
, 2G060AG11
, 2G060BA09
, 2G060BB10
, 2G060HA02
, 2G060HC10
, 2G060HC19
, 2G060HE03
, 2G060JA01
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