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J-GLOBAL ID：200903026513007056
半導体量子箱の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991270356
Publication number (International publication number)：1993082912
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体結晶内に量子箱構造を作製するための方法を提供する。特に、マスクを用いることなく、1回の結晶成長で量子箱を作製する。【構成】 n-GaAs基板2の(111)B面の上にMEE法によってn-AlGaAs下部クラッド層3とAlGaAs障壁層4を順次成長させる。ついで、通常のMBE法により障壁層4の上にピラミッド状をした多数の量子箱5aからなるGaAs量子箱層5を形成する。つぎに、再びMEE法により量子箱層5の上からAlGaAs障壁層6と、p-AlGaAs上部クラッド層7と、p-GaAsキャップ層8を順次成長させる。この後、n-GaAs基板2の下面にp型電極9を形成するとともにキャップ層8の上面にn型電極10を形成し、量子箱半導体レーザ素子1を製作する。
Claim (excerpt)：
(111)B面基板を用いて化合物半導体からなる量子箱構造を作製する方法であって、MBE法によって量子箱層を成長させる工程と、MEE法によって量子箱層を囲むようにして障壁層を成長させる工程とからなる半導体量子箱の作製方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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