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J-GLOBAL ID：200903026527883908

気相成長装置

Inventor： 丸谷 新治 ,  加藤 浩樹 ,  日野 和彦 ,  久永 直人 ,  越智 望
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社 ,  株式会社小松製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298188
Publication number (International publication number)：1994122591
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大径のウェーハを処理する気相エピタキシャル成長装置において、スループットを大幅に向上させることができるようにする。【構成】 直立する集合排気管1を中心としてその周囲に複数台の枚葉式チャンバ2を放射状に配設し、各チャンバ2に接続された排気管4の先端を前記集合排気管1の下部に接続する。各チャンバ2内に設けられたサセプタは、チャンバ2の下方に配設されたサセプタ回転駆動部6によって回転する。各チャンバ2の上下面は透明な石英ガラス窓で覆われ、石英ガラス窓の外側にはハロゲンランプ7あるいは高周波コイルが配設されている。この装置では、集合排気管1を基準として各チャンバ2が位置的に等価となるため、チャンバ内圧力を同圧とすることができ、同時に複数枚のウェーハを処理するので、スループットを格段に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

ガスインレットと、排気管と、サセプタ回転機構および加熱装置とを備えた枚葉式チャンバを複数台配設し、前記各排気管を1本の集合排気管に接続したことを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (4)：

C30B 25/14 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504