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J-GLOBAL ID：200903026576283851

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 河津 佳幸
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995103570
Publication number (International publication number)：1996298294
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 上層の導電膜からの拡散、もしくは上層の導電膜とシリコンとの反応による接合リークを防ぐことができるとともに、拡散層形成領域を精度良く形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置において、拡散層15との境界付近のフィールド酸化膜51下に、基板表面から見て通常の拡散層よりも深い部分まで存在する予備拡散層13を形成する。

Claim (excerpt)：

拡散層との境界付近のフィールド酸化膜下に基板表面から見て通常の拡散層よりも深い部分まで存在する予備拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S