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J-GLOBAL ID：200903026580241640

薄膜太陽電池とその製造方法

Inventor： 村松 信一 ,  梶山 博司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994091033
Publication number (International publication number)：1995297428
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】単結晶シリコン太陽電池に匹敵する高効率、低コストの薄膜太陽電池及びその製造方法を提供すること【構成】上記目的は、少なくとも基板の主面上にシリコンを主成分とする半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池において、上記半導体薄膜の少なくとも一つの層が実質的にイントリンシックな非晶質相とn型あるいはp型の結晶相とからなる混合層であり、かつ、上記結晶相が上記基板の主表面と概略垂直な柱状もしくは錐状の相を含むことを特徴とする薄膜太陽電池とすることによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも基板の主面上にシリコンを主成分とする半導体薄膜と電極とを備えてなる薄膜太陽電池において、上記半導体薄膜の少なくとも一つの層が実質的にイントリンシックな非晶質相とn型あるいはp型の結晶相とからなる混合層であり、かつ、上記結晶相が上記基板の主表面と概略垂直な柱状もしくは錐状の相を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-046377
  
• 特公平4-058193
  
• 特開昭61-084073