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J-GLOBAL ID：200903026595067833

炭化けい素MOSFETの製造方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992301439
Publication number (International publication number)：1994151860
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】シリコンを用いたパワーデバイスの特性限界を打破するために、SiCを材料としたMOSFETを開発する。【構成】イオン注入における不純物イオンの飛程が加速電圧により制御できることを利用して、イオン注入と熱処理活性化によって所定の深さの所定導電形の領域をSiC層に形成し、不純物の拡散が見られないSiC結晶の欠点を回避する。例えばn形SiC半導体層に端面に傾斜面を有するゲート電極をマスクとしてイオン注入し、界面に曲面を有するpベース領域を形成する。あるいは、n形SiCサブストレート上のp形SiCエピタキシャル層の一部をpベース層として残し、イオン注入でn領域を形成して下のサブストレート部分と連結してnベース領域とする。

Claim (excerpt)：

炭化けい素からなる第一導電形の半導体層の表面層に選択的に第二導電形のベース領域が、その第二導電形ベース領域の表面層に選択的に第一導電形のベース領域がそれぞれ形成され、その第一導電形ベース領域と第一導電形半導体層露出部との間にはさまれた第二導電形ベース領域の表面上に絶縁膜を介してゲート電極が設けられる炭化けい素MOSFETの製造のために、端部に傾斜面を有するゲート電極を形成したのち、第一導電形半導体層のゲート電極に覆われない領域および傾斜面直下の領域に不純物イオンを注入し、熱処理して第二導電形ベース領域を形成することを特徴とする炭化けい素MOSFETの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/784 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265 ,  H01L 23/14 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 G ,  H01L 23/14 R ,  H01L 29/78 321 Y