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J-GLOBAL ID：200903026601508634

半導体集積回路

Inventor： 鈴木 幸英 ,  川村 昌靖 ,  宮武 伸一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 玉村 静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268448
Publication number (International publication number)：1995106522
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電源ノイズの低減と静電耐圧の向上を実現した半導体集積回路提供する。【構成】 出力バッファなどの所定の回路が形成される回路領域との間で信号の入出力や動作電源の供給を行うためのボンディングパッドのような複数個の電極パッドを備えた電極パッド領域EPADが形成され、該電極パッド領域に隣接した位置に第1の電源配線GLVCC1,GLVSS1を敷設し、当該第1の電源配線に沿ってこれと結合されたPN接合部を設ける。これは、P型半導体基板に形成したN型半導体領域LとN型ウェル領域NWELによって構成される。上記第1の電源配線下のPN接合部は基板電位の大きな変動を抑制し、且つその接合容量成分は電源ノイズを減少させる。

Claim (excerpt)：

所定の回路が形成される回路領域と、該回路領域に接続されると共に外部と接続される複数個の電極パッドを備えた電極パッド領域と、該電極パッド領域に隣接した位置に敷設された第1の電源配線と、当該第1の電源配線に沿ってこれに接続されて設けられたPN接合部と、が半導体基板に形成されて成るものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/10 311

FI (3)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 E