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J-GLOBAL ID：200903026611653527
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 明夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997069542
Publication number (International publication number)：1998270419
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】エッチング形状制御性とエッチング速度がすぐれたプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】パルス状の電圧と高周波状の電圧波形を重畳し、バイアス電圧として被エッチ物もしくは試料台に印加する。【効果】電子とイオンが十分加速され、エッチング断面形状制御性とエッチング速度が向上す。
Claim (excerpt)：
被エッチ物をエッチングするための真空処理室と、上記真空室内を排気する手段と、処理ガスのプラズマを発生させる手段と、上記真空処理室内に配置されたその上に上記被エッチ物を置くための試料台と、処理ガスのプラズマを用いて上記被エッチ物をエッチングする手段と、上記被エッチ物もしくは上記試料台に、所定のパルス状の電圧と高周波状の電圧の重畳電圧をバイアス電圧として印加する手段を少なくとも具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
