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J-GLOBAL ID：200903026616868467

磁気抵抗効果素子及び磁気センサ

Inventor： 小田切 充 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007703
Publication number (International publication number)：1997199769
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 磁性層と非磁性層との積層構造を有する磁気抵抗効果素子の耐熱性及び耐環境性を向上する。【解決手段】 Cuの非磁性層と磁性層との層間にAgの拡散防止層を設ける。また,非磁性層をCu薄膜とAg薄膜との多層膜とする。Ag薄膜はCu層と密着するため熱処理による凝集を起こさない。また,Agは拡散防止層として優れる。非磁性層にCuを用いることで磁気抵抗効果が大きく,かつAg層が在るため耐熱性に優れる。さらに,多層膜の層間に耐腐蝕性金属薄膜を設けることで,耐腐蝕性を向上する。

Claim (excerpt)：

第一の磁性層と,非磁性層と,第二の磁性層とがこの順序で積層された構造を含むスピンバルブ膜を有する磁気抵抗効果素子において,該非磁性層はCuからなり,該非磁性層と該第一及び該第二の磁性層との間にAgからなる拡散防止層を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R