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J-GLOBAL ID：200903026616952891

半導体装置

Inventor： 南澤 正栄 ,  井上 英俊
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055661
Publication number (International publication number)：1993259167
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、半導体素子のバンプ電極を加熱再溶融して配線基板から半導体素子を引き剥がす際、バンプ材を配線基板側に残存し難くしてバンプ材の除去を容易にすることができ、半導体素子のリペア作業を容易にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子1上に高融点PbSn層2aが形成され、更に該高融点PbSn層2a上に低融点PbSn層2bがコートされてなるバンプ電極2を有し、該半導体素子1の該バンプ電極2と配線基板3の電極4とが接合されてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子(1)上に高融点PbSn層(2a)が形成され、更に該高融点PbSn層(2a)上に低融点PbSn層(2b)がコートされてなるバンプ電極(2)を有し、該半導体素子(1)の該バンプ電極(2)と配線基板(3)の電極(4)とが接合されてなることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/92 B ,  H01L 21/92 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-106057
  
• 特開昭59-188147
  
• 特開昭60-049652