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J-GLOBAL ID：200903026629193086

半導体装置

Inventor： 寺西 秀明
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001036351
Publication number (International publication number)：2002246514
Application date： Feb. 14, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】裏面の放熱効率を高めた半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板100の第1主面101の表面層に活性領域2を形成し、第2主面の裏面102にトレンチ溝3を形成し、裏面102を凹凸(トレンチ溝が形成された箇所が凹、形成されない箇所が凸)にする。この凹凸した裏面102に、半導体基板100より熱伝導率が大きい材質の放熱薄膜7(放熱用のための薄膜のこと)を凹凸面に沿うように形成する。前記のトレンチ溝3の幅Wと深さLの比、所謂、アスペクト比(L/W)を1以上で、50以下にする。また、トレンチ溝3の幅Wとトレンチ溝3の間隔Dを、それぞれ、1μm以上で100μm以下にする。

Claim (excerpt)：

第1主面の表面層に活性領域を形成した半導体基板の第2主面である裏面に溝を形成し、該裏面を凹凸にし、該凹凸面に沿って、該凹凸した裏面に、前記半導体基板より高い熱伝導率を有する材料の放熱薄膜を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/34 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 23/34 A ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/04 H

F-Term (15)：

5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA24 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08 ,  5F036AA01 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD11 ,  5F038BH01 ,  5F038BH16 ,  5F038EZ20