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J-GLOBAL ID：200903026638166008

無定形炭素層を含むマスキング構造

Inventor： サンドゥ、グルテジ、エス ,  イン、ジピン ,  リ、ウェイミン
Applicant, Patent owner： マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 大橋 邦彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006526248
Publication number (International publication number)：2007505498
Application date： Sep. 08, 2004
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

多数層を有するマスキング構造が形成される。そのマスキング構造は、無定形炭素層と該無定形炭素層上に形成されたキャップ層とを含む。無定形炭素層は透明無定形炭素を含む。キャップ層は非酸化物材料を含む。マスキング構造は、半導体装置の製作中、エッチング・プロセスにおけるマスクとして使用可能である。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

装置であって、 基板と、 無定形炭素層及びキャップ層を含んで、前記基板上に形成されたマスキング構造であり、該キャップ層が非酸化物材料を含むことから成るマスキング構造と、 を備える装置。

IPC (7)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (5)：

H01L21/28 E ,  H01L21/314 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 C ,  H01L27/10 621C

F-Term (48)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD62 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033RR01 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F058BC20 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07