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J-GLOBAL ID：200903026639554044

プラズマ処理装置

Inventor： 上野 茂一 ,  笹川 英四郎 ,  縄田 芳一 ,  濱本 員年
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 坂間 暁 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172415
Publication number (International publication number)：1996037097
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大型基板に対しても良好なプラズマ処理が容易に可能な装置を実現する。【構成】 反応ガス24の供給部23と排出部22が設けられた真空容器14内に基板19が配設される基板ホルダー18を設け、同基板ホルダー18の基板19が配設される面に対向して平行にエレメント間隔が疎と密の平面型コイル電極である第1電極16と第2電極17を配設したことによって、電極近傍の高周波電力密度が高い第1電極16が反応ガスの分解を促進し、電極近傍の高周波電力密度が均一な第2電極17がそれを均一化させるため、良好で均一なプラズマ処理を達成することが可能となる。また、第1電極16と第2電極17の配設位置を調節可能としたことによって、最適条件でのプラズマ処理が可能となる。

Claim (excerpt)：

反応ガスの供給部と排出部が設けられた真空容器、同真空容器内に設けられ一方の面に基板が配設される基板ホルダー、同基板ホルダーの一方の面に対向して平行に配設されエレメント間隔が疎の平面型コイル電極である第1電極、同第1電極と上記基板ホルダーの間にそれぞれに平行に配設されエレメント間隔が密の平面型コイル電極である第2電極、および上記第1電極と第2電極が接続された高周波電源を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065