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J-GLOBAL ID：200903026644624395

強誘電体メモリ装置

Inventor： 由森 博之 ,  三原 孝士 ,  平出 修三
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009992
Publication number (International publication number)：1996147982
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】非破壊読み出しが可能であり、かつ高集積度の強誘電体メモリ装置を提供する。【構成】 一対の電極により挟持された強誘電体薄膜10を記憶セルとする強誘電体メモリと、この強誘電体メモリに強誘電体薄膜10の抗電圧よりも大きい電圧を有する第1のパルスを印加して、自発分極の2つの状態のうち第1の方向の分極状態に分極させる第1のパルス発生回路13′と、第1のパルスとは逆極性の電圧を有する第2のパルスを印加して、第1の方向の分極状態を有するドメインと、第1の方向とは逆方向の第2の方向の分極状態を有するドメインとが混合した部分分極状態を形成する第2のパルス発生回路14′とを具備し、強誘電体メモリに対する情報の書き込みあるいは読み出しを、第1の方向の分極状態と、部分分極状態とに基づいて行う。

Claim (excerpt)：

一対の電極により挟持された強誘電体薄膜を記憶セルとする強誘電体メモリと、この強誘電体メモリに前記強誘電体薄膜の抗電圧よりも大きい電圧を有する第1のパルスを印加して、自発分極の2つの状態のうち第1の方向の分極状態に分極させる第1のパルス印加手段と、前記第1のパルスとは逆極性の電圧を有する第2のパルスを印加して、前記第1の方向の分極状態を有するドメインと、前記第1の方向とは逆方向の第2の方向の分極状態を有するドメインとが混合した部分分極状態を形成する第2のパルス印加手段と、を具備し、前記強誘電体メモリに対する情報の書き込みあるいは読み出しを、前記第1の方向の分極状態と、前記部分分極状態とに基づいて行うようにしたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (2)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-113889
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344923   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平3-113889