Pat

J-GLOBAL ID：200903026663019044

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 島 顕洋 ,  三浦 猛 ,  門脇 朋子 ,  早藤 紀生
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002406
Publication number (International publication number)：1993259574
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 AlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsクラッド層を有する高性能のリッジ型半導体レーザ装置を容易に再現性よく製造できる半導体レーザの製造方法を得る。【構成】 クラッド層としてAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsを、エッチング阻止層としてAlAs組成比が0.6より大きいAlGaAsを用い、有機酸と過酸化水素からなるエッチング液を用いてクラッド層を選択エッチングしてリッジ成形を行うようにした。

Claim (excerpt)：

活性層上に設けられた上側クラッド層の一部をエッチング除去して形成した、共振器長方向にのびるストライプ状のリッジを有する半導体レーザ装置において、第1導電型基板と、該基板上に配置された第1導電型下側クラッド層と、該下側クラッド層上に配置された活性層と、該活性層上に配置されたAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsからなる第2導電型第1上側クラッド層と、該第1上側クラッド層上に配置されたAlAs組成比が0.6より大きいAlGaAsからなるエッチング阻止層と、該エッチング阻止層上に配置されたAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsからなる第2導電型第2上側クラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。